IBM成功研发2nm芯片问世，性能提升45%！

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2021-05-08 13:58

　　如今全球最先进的芯片制程是5nm，台积电和三星都掌握了这项量产工艺，并且在更先进的4nm，3nm领域展开布局，近日，IBM公司宣布，他们已经创造了世界上第一个2nm芯片制程，并称是世界首创。

　　2nm制程芯片首次采用了底部电阻隔离通道技术（bottom dieletric isolation channel），使12纳米的栅极长度成为可能；其内部隔离器则采用第二代干法工艺设计，有助于纳米片的开发。此外，2nm制程芯片的基板工序（FEOL）采用了极紫外线光刻（EUV）技术进行加工。

　　据外媒报道，IBM 2nm制程或能在每平方毫米芯片上集成3.33亿个晶体管。相比之下，台积电5nm制程每平方毫米约有1.71亿个晶体管，三星5nm制程每平方毫米约有1.27亿个晶体管。

　　2nm制程技术或能实现在“指甲盖”大小的芯片上集成约500亿晶体管，相比当下最先进的5nm芯片体积更小，速度更快；性能和功耗方面，相比7nm芯片，2nm芯片的性能可提升45%、功耗有望降低75%；且在续航方面，使用2nm芯片设备的电池寿命或是使用7nm芯片设备的4倍。

　　2nm制程芯片相比现有可量产的7nm、5nm制程芯片，在晶体管密度、性能、功耗等方面能实现大幅提升，据相关报道称，IBM已与三星、英特尔签署了联合开发协议。

　　芯片上更多的晶体管也意味着处理器设计人员拥有更多的选择，目前该技术仍在概念验证阶段，可能还需几年才能投入市场。2nm制程芯片制造技术，能够助力手机、数据中心、PC、自动驾驶等领域应用实现性能飞跃。