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万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替料SVGP069R5NSA

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2022-04-20 09:35
  选择到一款合适的MOS管,可以确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果,但不同品牌同一类型的MOS管,如果耐压、导通电阻、封装参数基本一致的话,是可以相互兼容替代的。
  
  SVGP069R5NSA是一款N沟道增强型功率MOS场效应管,采用士兰的MOS工艺技术制造。漏极电压VDS:60V,漏极脉冲电流ID:14A,导通电阻RDs(on)(典型值)=8.0mΩ @Vcs=10V具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
  
  万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS替料SVGP069R5NSA参数对比
型号 漏极电压VDS 栅源电压VGS 导通电阻RDS(ON) 漏极脉冲电流ID
SVGP069R5NSA 60V ±20 8.0-9.5mΩ 14A
AO4264E 60V ±20 8.0-9.8mΩ 13.5A
VS6410AS 60V ±20 11-13mΩ 12A
  
  万代ao 60v mos管AO4264E/威兆VS6410AS和SVGP069R5NSA都采用SOP-8封装,都是N沟道增强型功率MOS场效应管,耐压、导通电阻万代ao 60v mos管AO4264E和SVGP069R5NSA基本一致,而SVGP069R5NSA在同一电压下,导通电阻RDS(ON)更优于威兆VS6410AS,被广泛应用于二次同步整流及逆变器系统的电源管理领域。
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