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半导体厂商大陆设厂陷纠结 恐技术外流又难抵市场诱惑

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文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2016-06-16 15:07
    全球代表性半导体业者陆续决定前往大陆设立生产基地,尽管有技术外流的风险,但面对全球最大的消费市场招手,业者仍决定冒险一试。由于每年大陆的半导体进口规模比进口石油还高,让大陆政府欲积极发展半导体产业以提高自给率。如今领导业者的建厂计划无疑是提升大陆自给率的最佳时机,长期而言还有机会取得技术。
 
    日前排名第二的IC制造业者格罗方德(GlobalFoundries)决定与重庆市政府合作,在当地兴建12寸(300mm)晶圆厂。重庆市政府提供土地与建物,格罗方德负责设备与技术部分,但双方的持分比例与投资金额等资讯并未公布。预计2017年起投产130~40纳米逻辑、模拟、混合信号芯片等。
 
    业界认为,该工厂初期量产规模以每月投入晶圆为基准约1.5万片。格罗方德则计划将新加坡Fab 7工厂使用的技术移转到即将新建的大陆重庆工厂。
 
    先前台积电也曾发表到南京的建厂计划,规划兴建12寸晶圆厂,投产时间定在2018年,生产16纳米FinFET芯片。从台积电最新的技术地图(Roadmap)来看,2018年最新制程应为10纳米或7纳米技术,因此用于南京工厂的技术约落后两个世代左右,原因应是考虑技术外流问题。
 
    如今格罗方德也决定在重庆建厂,并采用130~40纳米,而非最先进的10纳米级FinFET制程,业界认为应也是考虑技术可能外流所做的决定。
 
    在存储器领域,两大韩厂早已在大陆工厂使用最新技术进行生产。三星电子(Samsung Electronics)在西安工厂生产3D NAND Flash存储器,SK海力士(SK Hynix)在无锡工厂也几乎与韩国利川工厂同步,使用相同的先进制程量产DRAM。
 
    全球最大的半导体业者英特尔(Intel)同样也前进大陆,2015年宣布要将位于大连的系统半导体厂房转换为存储器生产工厂,计划投资约6.2兆韩元(约52.28亿美元),目标在2016年下半投产3D NAND Flash存储器。
 
    力晶科技则决定与合肥市政府合资兴建12寸晶圆半导体厂,合作方式为合肥市政府负责出资,力晶提供技术。如此一来,形同将生产技术全面交给大陆。
 
    韩国业界认为力晶的技术约落后韩厂4~5年左右,但若有大陆政府的雄厚资金挹注,也将产生极大威胁。若韩厂研发更先进的DRAM制程稍微放慢脚步或遭遇瓶颈,未来很快就会被大陆追上。
 
    业界认为,三星、SK海力士、台积电、英特尔等半导体领导业者在大陆的建厂计划并非合资型态,技术流出的风险较低。但格罗方德与力晶以提供技术的方式与大陆合作,将间接扶植大陆的技术竞争力,为大陆半导体产业崛起助一臂之力。
 
    但也有另一派业界人士认为,存储器领域并非儿戏,许多有意前进大陆发展的美国、日本、德国半导体业者铩羽而归,目前大陆政府的出资来自地方,投资不如由中央政府主导的集中,或许反而能成为韩国业者成长茁壮的机会。
 
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