充电器IC阿里店铺阿里巴巴店铺 led恒流驱动ic专业厂家关注骊微 电源IC方案公司收藏骊微 欢迎进入电源ic,led驱动ic,车充ic,充电器ic,适配器ic厂家--骊微电子官网
高级搜索

搜索一

搜索二

深圳车充IC方案
当前位置: 电源ic > 新闻中心 > 公司新闻 > 4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3A)

4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3A)

字号:T|T
文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2018-07-30 10:04
  4953mos管描述:  
  4953 mos管内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS(ON),做为负载开关被广泛应用于大屏显示,以及其他的消费电子产品中,采用SOP8的封装形式。
  
  4953 MOSFET特点:  
  ●Ids= -3.0A, RDS(ON) = 85mΩ@VGS = -5V   
  ● 高级的Trench加工技术  
  ● 高密度的单元设计    
  ●封装形式:SOP8 
  
  4953mos管应用:在笔记本电脑的电源管理,便携设备和电池供电系统。
  
  4953mos管25℃极限参数和热特性电气参数:
产品中心 关于骊微 联系我们