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[ 11-28 09:59 ]TK10A60D场效应晶体管MOS管开关稳压器的应用
TK10A60D 场效应晶体管MOS管参数: 低漏极 - 源极导通电阻:RDS(ON)=0.62(典型值) 高正向传输导纳:| Yfs | = 6.0 S(典型值) 低漏电流:IDSS =10A(VDS = 600 V) 增强模式:Vth = 2.0至4.0 V(VDS = 10 V,I...

[ 11-14 09:44 ]PD芯片PN8307H内置MOS 18W USB PD充电器ic
自从Apple发布了新MacBook,USB Type-C接口逐渐普及,USB Type-C能支持最高20V/5A,但这需要USB PD适配器,而支持USB PD需要额外的pd芯片,例如芯朋微推出的TYPE-C专用 PD芯片PN8307H,骊微电子代理的PD芯片PN8307H...

[ 11-09 09:56 ]PN8161+PN8307H省10颗外围的18W PD快充电源应用方案
USB- Power Delivery(USB PD) 是目前主流的快充协议之一,手机快充有两个实现模式,一个是大电压方案,比如高通的QC 3.0采用的就是9V/2A的充电方案,而OPPO的VOOC闪充和一加的Dash闪充采用的都是5V/5A的大电流的...

[ 11-08 09:25 ]PD快充芯片PN8307M同步整流器
随着Type C接口的普及,以及高通及MTK方案对PD协议的支持,市面上支持USB PD快充的设备数量稳步增长,小米、华为、锤子等一批国内手机厂商相继加入搭载QC4+充电器,市场前景一片火热,芯朋微推出 PD快充芯片PN8307M...

[ 11-07 09:42 ]PN8161开关电源芯片高性能准谐振交直流转换芯片
PN8161 高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、...

[ 10-12 09:37 ]主流的快充协议芯片PD充电芯片
自2017年苹果发布了全USB-C端口的MacBook系列电脑和支持Qi无线充电的iPhone系列手机后,充电市场便火了起来, PD充电芯片 技术的应用,推动了Qi和PD充电技术技术的发展,使得充电更优雅了。 SC0163D 是一个低成本的...

[ 09-28 09:39 ]diodes原装SDT30100CT大功率肖特基二极管特价促销
肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管,而把金属-半导管整流,管叫作肖特基整流管,近年来,采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基,也已问世,这不仅可节省贵金属,大幅度降低成...

[ 09-27 09:43 ]NCE现货n沟道mos管NCE6003Y磁场应管SOT23-3L
NCE6003Y是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。 NCE6003Y特点及优势: 低FOM(R...

[ 09-05 09:53 ]节省外围的PN8370M+PN8306M 5V2A六级能效充电ic方案
PN8370M +PN8306M 5V2A六级能效充电方案,拥有外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点,备受工程师们青睐。 PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简...

[ 09-03 09:54 ]PN8370M+PN8305L小体积5V2A充电器ic方案
PN8370M+PN8305L 5V2A六级能效充电方案,该充电器ic方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点。 PN8370M集成超低待机功耗准谐振原边控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充...

[ 07-31 09:58 ]9926mos管SOP-8双N沟道2.5-V(G-S)低压MOSFET
9926 mos管 产品概要: 9926mos管是性能极高的沟槽N沟道MOSFET,具有很高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷,9926符合RoHS和绿色产品要求,并获得全面的功能可靠性认证。 9...

[ 07-30 10:04 ]4953mos管双P沟道增强型MOSFET(-30V,-5.3A)
4953mos管 描述: 4953 mos管内部包括两个独立的、P沟道金属氧化物场效应管。它有超低的导通电阻RDS(ON),做为负载开关被广泛应用于大屏显示,以及其他的消费电子产品中,采用SOP8的封装形式。 4953MOSFET特点: ...

[ 07-26 09:37 ]4842mos管sop-8场效应管30V / 7.7A双N沟道高级功率MOSFET
4842mos管描述: 4842 由沟槽加工技术设计而成实现极低的导通电阻。 并快速切换速度和改善转移有效。 这些功能结合使这个设计非常有效和适用于各种DC-DC应用的可靠设备。 4842mos管特征: BVDSS 30V,R DS(ON)=21...

[ 07-25 10:07 ]4803mos管-30V / -5A双P沟道高级功率MOSFET
4803mos管 描述: PTS4803采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)。该设备适合用作负载开关或PWM应用,针对电源管理进行了优化便携式产品的应用,例如H桥,变频器车载充电器及其他。 4803MOSFET管特...

[ 07-24 10:20 ]优势供应PNP型LMBT3946DW1T1三极管双通用SOT-363晶体管
LMBT3946DW1T1 器件是我们广受欢迎的产品SOT-23 / SOT-323三引线器件。 它是为一般设计的目的放大器应用并安装在SOT-363中六引线表面贴装封装。 通过放入两个分立器件一个封装,该器件非常适合低功率表面贴装电路板...

[ 08-02 02:12 ]喜讯:热烈祝贺我司再次签约芯朋微一级代理商!
无锡芯朋微电子股份有限公司(Chipown)是一家专业从事模拟及数模混合集成电路设计的高科技创新企业,专注于开发绿色电源管理和驱动芯片,为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品,主要产品包括AC-DC、D...

[ 06-27 09:34 ]iPhone8引爆无线充电市场,骊微推出无线充电器线路板方案
随着iPhone8的带动,无线充电市场将会呈现拨云见日群雄逐鹿趋势,iPhone8无线充电用到了EE电感,可以实现25mm左右高度的隔空充电,支持自由放置充电,采用大概率兼容谐振式方案,国内手机厂商华为、VIVO、小米、金...

[ 06-21 10:30 ]qi无线充电器10w无线充快充方案
无线充电属于高壁垒行业,目前无线充电产业链涉及到的有无线充电芯片、模组方案设计、磁性材料线圈以及天线等企业。从整体产业链分布来看,无线充电pcba分为发射端和接收端,接收端又可以分成芯片和模组两个大部分...

[ 06-15 10:34 ]电源管理ic提醒你:与父同行,与粽同乐!
农历五月初五,是中国民间的传统节日端午节,它是中华民族古老的传统节日之一,端午节是纪念一个伟大男人的日子,父亲节是属于无数无私奉献的男人,今年,端午节巧遇父亲节,在这个重要的节日里,骊微电子电源管理i...

[ 06-01 04:47 ]“致童真,拾童趣”,六一快乐!
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