充电器IC阿里店铺阿里巴巴店铺 led恒流驱动ic专业厂家关注骊微 电源IC方案公司收藏骊微 欢迎进入电源ic,led驱动ic,车充ic,充电器ic,适配器ic厂家--骊微电子官网
高级搜索

搜索一

搜索二

深圳车充IC方案
当前位置: 电源ic > 新闻中心 > 行业新闻 > Vishay新推出快恢复二极管N沟道高压MOSFET性能高降功耗

Vishay新推出快恢复二极管N沟道高压MOSFET性能高降功耗

字号:T|T
文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2015-05-25 15:58
        日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件具有低反向恢复电荷和导通电阻,在工业、电信、计算和可再生能源应用中可提高可靠性,并且节能。
 
  今天推出的这些600V快恢复二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,充实了Vishay现有的标准E系列器件,使公司有更多的器件可用于类似移相全桥和LLC半桥的零电压开关(ZVA)/软开关拓扑。
 
 
在这些应用里,SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低十倍的优势,提高了可靠性。这些器件因此能够更快地防止电压击穿,有助于避免直通击穿和热击穿。
 
  21A SiHx21N60EF有四种封装,47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有两种封装。器件分别具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低导通电阻和低栅极电荷。这意味着在太阳能逆变器、服务器和通信电源、ATX/Silver box计算机开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器和半导体生产设备中的高功率、高频开关应用里,可实现极低的导通和开关损耗。
 
  这些器件能够承受雪崩和换流模式里的高能脉冲,保证通过100%的UIS测试。这些MOSFET符合RoHS,无卤素。
 
产品中心 关于骊微 联系我们