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SVF4N65/SVF7N65/SVF10N65/SVF12N65常用高压mos管参数!

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2022-09-16 11:00
  MOS管是一种金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或称金属—绝缘体—半导体,具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点,是中小功率应用领域的主流开关器件,广泛应用于通信、消费电子、汽车电子、工业控制、计算机及外设设备、电源管理等。骊微电子低压MOSFET主要用于消费电子领域,中高压MOSFET则主要用于工业、通讯、电动车等领域。
  
  4n65高压mos管参数  
  型号:SVF4N65F/M/MJ/D   
  电性参数:4A  650V  
  反向恢复时间(Trr):450ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=2.3Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220F-3L、T0-251J-3L、T0-251D-3L、T0-252-2L
 
  
  7N65场效应管参数  
  型号:SVF7N65T/F/S  
  电性参数:7A  650V  
  恢复时间(Trr):499ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=1.1Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220F-3L、T0-263-2L、T0263-2L、T0-220-3L
 
  
  场效应管10N65高压mos管参数  
  型号:SVF10N65T/F/K/S    
  电性参数:10A  650V  
  恢复时间(Trr):561ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=0.8Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-262-3L、T0263-2L、T0-263-2L
 
  
  高压mos管12n65参数  
  型号:SVF12N65F/K/S     
  电性参数:12A  650V  
  恢复时间(Trr):562ns  
  导通电阻RDS(on):(典型值)=0.64Ω@VGS=10V  
  封装:T0-220F-3L、T0-262-3L、T0-263-2L、T0-263-2L
 
  
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