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铨力AP30H80Q vbus开关MOS获得安克67W 2C1A氮化镓充电器采用

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2023-12-07
  近日,ANKER安克新推出了一款67W 2C1A氮化镓充电器,设有2C1A输出接口,两个USB-C接口均支持67W快充,VBUS开关管来自铨力,型号AP30H80Q,耐压30V,导阻4.8mΩ,采用PDFN3*3-8L封装,三路均为同一型号。
  
  AP30H80Q vbus开关MOS特点  
  ■ 30V,80A  
  ■ RDS(on) <4.8mΩ@VGS=10V TYP:4.1mΩ  
  ■ RDS(on) <9.5mΩ@VGs=4.5V TYP:7.2mΩ  
  ■ 沟槽技术  
  ■ 获得无铅产品  
  ■ 优异的电阻和低栅极电荷
 
  
 
  AP30H80Q 是ALLPOWER铨力N沟道增强型MOSFET,短路能力强、低内阻,丝印:30H80Q 采用沟槽技术,漏源电压30V,连续漏极电流80A,典型用于PWM应用,负载开关,电源管理等。
 
  
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