RDN8804可替代东沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ
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RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR双N沟道增强型功率MOSFET采用最新的沟道处理技术,以实现高单元密度和低栅电荷降低导通电阻。这些特点结合起来,使这种设计成为一个非常有效和可靠的设备,用于大电流负载应用。
RDN8804 特点
●20V/25A, RDS(ON) =3.8mΩ@VGS=4.5V(典型)
●高密度电池设计,超低Rdson
●全特性雪崩电压和电流
管脚描述
应用领域
● 大电流应用中的负载开关
● 逆变器系统的电源管理
● 电池保护
RDN8804 20V/25A RDS(ON) 3.8mR双N沟道增强型功率MOSFET可以直接替代东沅FKCA2030/尼克森PE5A0DZ,更多RDN8804 mos产品手册或者详细资料请向骊微电子申请。>>
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