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小体积20W PD快充方案

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2020-10-27 08:53
  苹果20W PD快充方案的推出,势必会带动第三方快充配件的快速发展,骊微电子推出了一套高集成20W PD快充方案,利用PN8162+PN8307H两颗内置mos芯片实现AC-DC电源转换,节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围,在小体积内实现高性能的电源方案。
 
  
 
  主控芯片PN8162采用 PDFN 专用功率封装,相比传统 SOP8,封装热阻更低,显著提高了充电器功率密度,内置690V高雪崩能力的功率MOSFET,准谐振工作,通过DMG检测到的消磁信号实现精确谷底开通,以提高系统的转换效率。
  
  次级同步整流MOS采用PN8307H,内置11mΩ 60V Trench MOSFET,集成了极为全面的辅助功能,包含输出欠压保护、防误开启、最小导通时间等功能,可保证电压 de-rating 裕量充足,进而降低整体方案成本,节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围。
 
  
  20W PD快充方案亮点  
  ★ 原边主控 PN8162 和次边同步 PN8307H均实现功率集成,得益于专利智能 MOS 技术,节省启动电阻、CS侦测电阻等多颗外围,PCBA 尺寸:28mm*28mm*24mm;  
  ★ PN8162 采用 PDFN 专用功率封装,相比传统 SOP8,封装热阻从 80℃/W 降低至 15℃/W,显著提高充电器功率密度;单边 drain 脚位,高低压引脚爬电距离大于 1.2mm,安全可靠;  
  ★ PN8162 采用负载自适应谷底开通技术,彻底解决小体积充电器开关干扰源至 LN 线位移电流带来的传导难题,EMC 裕量大于 6dB;  
  ★ PN8162 工作强制 DCM 模式,从而保证最糟工况下 SR 尖峰电压可控制在 51V 以内,60V 耐压的 PN8307即可保证电压 de-rating 裕量充足,进而降低整体方案成本;  
  ★ PN8162 内置输入欠压保护,通过 DMG 监控市电,防止市低压工作导致电源异常;  
  ★ PN8162 9-38V VDD 供电、PN8307 3-24V VCC 供电,在 3-12V 输出电压范围内无需外部 LDO;  
  ★ PN8162 内置线电压补偿,根据市电自动调整内部峰值电流参考,全电压范围 OCP 精度在 10%以内;  
  ★ HUSB339B 协议支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。
 
  
 
  骊微电子20W PD快充方案通过采用高集成设计的芯片,实现了超精简的外围电路,一方面为快充电源厂商降低了新品开发的门槛、加速了新品上市的周期,另一方也使得产品的系统成本得以进一步压缩,提升利润空间和产品竞争力,更多基于PN8162+PN8307H小体积20W PD快充方案原理图,电源输入输出规格,BOM 表和变压器参数以及安规和 EMI 测试数据等资料,可向骊微电子申请。>>
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