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p-mos管怎么选型,p型mos管选型表!

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2022-10-20 10:19
  p-mos管怎么选型,p型mos管选型主要是从封装类型、耐压、导通电阻等多个参数及不同的应用需求去选择,工程师在选择p-mos管时,一定要依据电路设计需求及MOS管工作场所来选取合适的MOS管,选择一款合适的p型mos管,可以很好地控制生产制造成本,最为重要的是将会充分发挥其“螺丝钉”的作用,确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。
  
  目前骊微电子p-mos管可提供-30 ~ -150V,-3~-46A的P 沟道 MOSFET解决方案,封装主要有SOP-8、TO-252、PDFN33等系列,能够满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。
  
  p型mos管选型表
型号 Vdss(V) Id(A) 封装 RDSON Max(mΩ)
SVT03110PL3 -30 -46 PDFN33 11
SVT03380PSA -30 -6.5 SOP-8 38
SVT10500PD -100 -30 TO-252 50
SVGP15751PL3 -150 -3 PDFN33 750
SVGP15161PL3A -150 -9 DFN33 160
  
  SVT03110PL3 30V增强型p-mos管采用PDFN-8-3*3封装,提供了超低的导通电阻和栅极电容,漏源电压-30V,漏极电流-46A,RDs(on)(典型值))=7.0mΩ@Vcs=10V,典型应用于移动电源、吸尘器、笔记本电脑、充电器等领域。
  
  SVT03380PSA p-mos管采用SOP-8封装,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,是-6.5A、-30V P沟道增强型场效应管,,RDs(on)(典型值))=38mΩ@Vcs=10V,典型应用于POS机、打印机、TV、电动工具、储能等领域。
  
  SVT10500PD 100v耐压p-mos管采用TO-252封装,漏源电压:-100V,漏极电流:-30A,RDS(on)(典型值)=35mΩ@VGS=10V,典型应用于报警器、储能、电动工具等。
  
  SVGP15161PL3A p mos管场效应晶体管采用PDFN-8-3*3封装,漏源电压:-150V,漏极电流:-9A,RDS(on)(典型值)=130mΩ@VGS=10V,典型应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等。
  
  P型MOS管是一种适合在低速、低频领域内应用的器件,具有输入阻抗高,驱动功率小,电路简单等特点,被广泛应用于汽车电子、电源管理、通信设备、工业设备、照明、便携式产品、消费类电子与计算机3C产品等领域,更多p-mos管和N 沟道MOSFE产品选型及MOSFET国产替代手册、参数等资料请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
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