常用IGBT耐压600V绝缘栅双极型晶体管参数

　　IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”，士兰微生产的耐压600V IGBT产品，覆盖了从5A至50A的电流规格，在电焊机、变频器和IPM领域已经得到了大规模应用，获得了业内广泛好评。

　　

　　SGTP5T60SD1D/F/S IGBT绝缘栅双极型晶体管，5A，600V，VCE(sat)(典型值)=1.5V@IC=5A，有TO252、TO263、TO220F多种封装，可应用于UPS，SMPS以及PFC等领域。

　　

　　SGT15T60SD1T/F/S 15A、600V绝缘栅双极型晶体管，饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=15A，有T0-220-3L、T0-220F-3L、T0-263-2L多种封装，具有较低的导通损耗和开关损耗。

　　

　　SGT20T60SD1F(S)(P7)(FD)(PN) 绝缘栅双极型晶体管，集电极-射极电压600V，集电极电流（Tc=100°）20A，具有较低的饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=20A，有T0-220F-3L、T0-263-2L、T0-247-3L、T0-220FD-3L、T0-3P、T0-220-3L多种封装。

　　

　　SGT20T60SDM1P7 20、600V绝缘栅双极型晶体管，饱和压降VCE(sat)(典型)=1.7V@IC=20A，采用T0-247-3L封装，具有导通损耗、快开关速度、高输入阻抗等特点。

　　

　　SGT30T60SD1F 绝缘栅双极型晶体管，集电极-射极电压600V，集电极电流（Tc=100°）30A，具有较低的饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A，有T0-220F-3L、TO-220FD-3L两种封装。

　　

　　SGT30T60SDM1P7 30A、600V绝缘栅双极型晶体管，饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=30A，采用T0-2473L封装。

　　

　　SGTP50V60FD2PF绝缘栅双极型晶体管，集电极-射极电压600V，集电极电流（Tc=100°）50A，饱和压降VCE(sat)(典型)=1.65V@IC=50A，采用TO-3PF封装，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。

　　

　　常用IGBT耐压600V系列有TO252、TO263、TO220F、TO247、TO220FD、TO3PF、TO247N等多种封装，满足不同市场和应用的需求提供品质稳定和优异性能的产品，同时能够控制成本，保证供货，从而能让产品在价格、供货以及技术支持方面有着持续的优势，更多600V-1350V IGBT绝缘栅双极型晶体管产品手册、参数及方案应用资料请向士兰微IGBT代理商骊微电子申请。>>