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60-80V mos管系列，BMS、逆变器、储能光伏专用mos管！

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文章出处：骊微电子责任编辑：电源管理芯片人气：-发表时间：2023-06-30 10:52

　　60-80V低压mos管系列采用士兰的LVMOS工艺技术制造，具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量，可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域，BMS、逆变器、储能光伏专用mos管！

　　60V 低压mos管系列：主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等，导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.8mΩ-9.5mΩ，有PDFN56、TO252、SOP8封装，满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。　　

　　SVG062R8NL5 60v mos管是140A、60V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG063R5NL5 60v耐压的mos管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVGP066R1NL5 71A 60V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG069R5ND 60A、60V N沟道增强型场效应管采用TO252封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。　　

　　SVGP069R5NSA 14A、60V N沟道增强型场效应管采用SOP8封装，漏源电压VDS=60V，导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。

　　80V低压mos系列：主要有SVGP082R6NL5A、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5 、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT等，导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.6 mΩ-6.0 mΩ，有DFN56、TO263、TO220、TO252等多种封装，满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。　　

　　SVGP082R6NL5A 100A、80V N沟道增强型场效应管采用PDFN-8-5X6封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=2.6 mΩ@VGs=10V，具有低栅极电荷、快关速度快、低反向传输电容等特点。　　

　　SVG083R4NS 120A、80V N沟道增强型场效应管采用TO263封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG083R4NT 120A、80V N沟道增强型场效应管采用TO220封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG083R6NL5 138A、80V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=3.6 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0ND 80v mos管采用TO252封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NL5 120A、80V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，漏源电压VDS=80V，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NS 采用TO263封装，漏源电压VDS=80V，漏极电流Tc=25℃：120A，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。　　

　　SVG086R0NT 采用TO220封装，漏源电压VDS=80V，漏极电流Tc=25℃：120A，导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V，是120A、80V N沟道增强型场效应管。

　　低压-150~200V mos管系列具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点，广泛应用于汽车电子、电机、非机动车、手机、笔电、锂电、新能源、大功率电源、其他消费电子等领域，更多MOS器件替换及选型产品手册、参数等方案资料请向士兰微mos代理商骊微电子申请。>>

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