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60-80V mos管系列,BMS、逆变器、储能光伏专用mos管!

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文章出处:骊微电子责任编辑:电源管理芯片人气:-发表时间:2023-06-30 10:52
  60-80V低压mos管系列采用士兰的LVMOS工艺技术制造,具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量,可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域,BMS、逆变器、储能光伏专用mos管!
  
  60V 低压mos管系列:主要有SVG062R8NL5、SVG063R5NL5、SVGP066R1NL5、SVG069R5ND、SVGP069R5NSA等,导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.8mΩ-9.5mΩ,有PDFN56、TO252、SOP8封装,满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。  
  SVG062R8NL5 60v mos管是140A、60V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装,漏源电压VDS=60V,导通电阻RDs(on)(典型值)=2.8 mΩ@VGs=10V。  
  SVG063R5NL5 60v耐压的mos管采用PDFN56封装,漏源电压VDS=60V,导通电阻RDs(on)(典型值)=3.5 mΩ@VGs=10V。  
  SVGP066R1NL5 71A 60V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装,漏源电压VDS=60V,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.1 mΩ@VGs=10V。  
  SVG069R5ND 60A、60V N沟道增强型场效应管采用TO252封装,漏源电压VDS=60V,导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。  
  SVGP069R5NSA 14A、60V N沟道增强型场效应管采用SOP8封装,漏源电压VDS=60V,导通电阻RDs(on)(典型值)=9.5mΩ@VGs=10V。
  
  80V低压mos系列:主要有SVGP082R6NL5A、SVG083R4NS、SVG083R4NT、SVG083R6NL5 、SVG086R0ND、SVG086R0NL5、SVG086R0NS、SVG086R0NT等,导通电阻RDS(on)(典型值)范围2.6 mΩ-6.0 mΩ,有DFN56、TO263、TO220、TO252等多种封装,满足不同的电路拓扑结构与终端使用需求。  
  SVGP082R6NL5A 100A、80V N沟道增强型场效应管采用PDFN-8-5X6封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=2.6 mΩ@VGs=10V,具有低栅极电荷、快关速度快、低反向传输电容等特点。  
  SVG083R4NS  120A、80V N沟道增强型场效应管采用TO263封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。  
  SVG083R4NT 120A、80V N沟道增强型场效应管采用TO220封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=3.4 mΩ@VGs=10V。  
  SVG083R6NL5 138A、80V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=3.6 mΩ@VGs=10V。  
  SVG086R0ND 80v mos管采用TO252封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。  
  SVG086R0NL5 120A、80V N沟道增强型场效应管采用PDFN56封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。  
  SVG086R0NS 采用TO263封装,漏源电压VDS=80V,漏极电流Tc=25℃:120A,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0 mΩ@VGs=10V。  
  SVG086R0NT 采用TO220封装,漏源电压VDS=80V,漏极电流Tc=25℃:120A,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V,是120A、80V N沟道增强型场效应管。
  
  低压-150~200V mos管系列具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点,广泛应用于汽车电子、电机、非机动车、手机、笔电、锂电、新能源、大功率电源、其他消费电子等领域,更多MOS器件替换及选型产品手册、参数等方案资料请向士兰微mos代理商骊微电子申请。>>
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