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半导体产业中EUV光刻最新进展

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文章出处:骊微电子责任编辑:admin人气:-发表时间:2016-07-26 14:30
 
    ASML宣称它的Q2收到4台EUV订单,预期明年EUV发货达10台以上。
 
    EUV光刻设备一再延迟,而最新消息可能在2020年时能进入量产,而非常可能应用在5nm节点。
 
    业界预测未来在1znm的存储器生产中可能会有2层或者以上层会采用它,及在最先进制程节点(7 or 5nm)的逻辑器件生产中可能会有6-9层会使用它。
 
    ASML计划2018年时它的EUV设备的产能再扩大一倍达到年产24台,每台售价约1亿美元,目前芯片制造商己经安装了8台,正在作各种测试。
 
    半导体顾问公司的分析师Robert Maire认为EUV真能应用于量产应该是大约在2020年,在5nm时。近期TSMC公布它的计划也是在5nm节点。
 
    Maire说英特尔可能会有不同的观点,它采用EUV设备在7nm,因为今年下半年它有可能进入10nm。
 
    因为现在16/14nm节点时通常采用两次图形曝光技术,如果EUV成功量产,可以避免在10nm及以下时要采用三次或者四次图形曝光技术,成本上可大幅的节省。
 
    从20nm节点开始要采用两次图形曝光技术,芯片制造商人为的把工艺节点分成两类,如20nm及10nm都是过渡节点,相对工艺寿命短,而28nm,16/14nm及7nm可能是长寿命节点。
 
    ASML的市场部总监Micheal Lercel说EUV系统量产需要安装250瓦光源,保证每小时125片,而现在的光源是125瓦,只能每小时85片,ASML正在实验室中研发210瓦光源。
 
    目前大于200瓦的EUV光源有两家供应商,分别是ASML的Cymer及Gigaphoton。两家供应商都认为未来500瓦光源有可能性。
 
    目前用于EUV掩膜保护的Pellicle只能承受125瓦的热负荷,离开250瓦的目标尚有一段距离。
 
    由于EUV光刻胶它的工作模式是采用反射的两次电子,不同通常的193nm光刻胶,因此尚需要突破。
 
    目前EUV光刻的成本非常接近于三次图形曝光技术。
 
    ASML希望它的EUV系统能有大於90%的uptime,但是目前在4周工作周期中它的uptine大於80%。
 
    设备从研发到量产有很大的差别。光源系统的可靠性要求十分高,即便系统工作在真空环境下要求每秒能击中50,000次融化的锡珠。因此新的光源体积很大,相比之前的准分子激光源更为复杂,它的尺寸如同电冰箱一样大,工作在洁净厂房中。
 
    截止目前为止,全球EUV光刻机的订单,英特尔有5台,带4台订单,台积电有5台,带2台订单,三星有3台,带3台订单,GF有1台,带1台订单,IMEC有2台,东芝与海力士各有1台及美光有1台订单。
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